消息称 LG 电子启动混合键合设备开发，追逐未来 HBM 内存制造关键技术

内容摘要IT之家 7 月 13 日消息，韩媒 SEDaily 今日报道称，LG 电子下属的生产技术研究所 (PTI) 已启动混合键合设备开发，目标在 2028 年实现大规模量产。混合键合未来将毫无疑问地成为 16+ 层堆叠 HBM 内存堆栈构建的关

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IT之家 7 月 13 日消息，韩媒 SEDaily 今日报道称，LG 电子下属的生产技术研究所 (PTI) 已启动混合键合设备开发，目标在 2028 年实现大规模量产。

混合键合未来将毫无疑问地成为 16+ 层堆叠 HBM 内存堆栈构建的关键技术，其采用无凸块的铜-铜键合，缩小各层 DRAM Die 间距，能在有限的高度内实现更高层数堆叠，且具备更低发热。

目前在 HBM 内存混合键合机台开发方面，Besi 和应用材料处于领先地位，而韩国两大内存企业 SK 海力士和三星电子有实现关键设备供应本地化的需求，LG 电子有望在这部分市场分得一杯羹。

另一方面，LG 电子已定下强化 AI 与 B2B 业务的愿景，混合键合设备同时符合这两大目标。

 
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沈和广

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